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电科动方【图文导读】图1：超薄二维纳米材料的结构及空位类型的示意图。作者相信超薄2D纳米材料的空位工程将会继续作为材料科学与工程中一个重要的研究领域，布数在新型高活性电极材料和催化等可持续能源应用中也会大有可为。

科院这些材料中许多都通过空位工程来使性能得到提高。建设及行进而提出了基于上述材料分类方法的研究思路。思路(a)在ZnAl-LDH纳米片合成过程中内建氧空位的示意图。

中国字电(a)CoAl-ELDH/GO（Co和O空位）及其块体同类样品的CoK-edgeXANES谱。(b)富锂层状阴极材料在5，电科动方45和200次充电-放电循环后的STEM-HAADF图像。

布数(a,b)充电状态/放电状态的对比和BD-MoS2与初始MoS2电极的容量比较。

科院(a)具有氧空位的N掺杂MoO3单层材料和MoO3单层材料的正电子寿命谱。建设及行(c) 不同电势下MoS2中硫空位上析氢的详细路径。

此外，思路还要意识到空位在反应过程中并不是静态的，对空位演化过程的实时观察和表征仍需要完善。中国字电图7：超薄2D材料中空位的EPR表征。

电科动方图8：超薄2D材料中空位的HRTEM表征。布数缺陷或空位控制是调节二维纳米材料本征属性的一类有效手段。